PANJIT最新30V & 40V 车用 MOSFET
PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证，结温高达 175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON)，并提高了雪崩坚固性，采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263 和 TO-263-7L封装。
PANJIT 的 N 沟道功率 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有出色的性能系数 (FOM)、更低的 RDS(ON) 和电容。这些 MOSFET 采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA封装，有助于实现高效可靠的 PCB 设计。
通过将创新与可靠性相结合，PANJIT 的低压 MOSFET 简化了电源设计电路，满足了汽车设计工程师不断变化的需求。这些元件证明了 PANJIT 致力于打造汽车电子产品的未来，为高性能汽车应用提供最佳解决方案。
30V 和 40V 汽车级 P 沟道 MOSFET 的主要特性：
• P沟道增强型逻辑电平 MOSFET
• 低 RDS(ON)，可最大限度地减少传导损耗
• 低热阻封装
• 通过 100% UIS 测试
• 具有静电保护(ESD)功能
• 通过 AEC-Q101 认证并符合 PPAP 要求
• 175°C高工作结温
• 高电流TO-263-7L 封装
30V 和 40V 汽车级 N 沟道 MOSFET 的主要特性：
• 低 RDS(ON)，可最大限度地降低传导损耗
• 低 FOM，可将驱动器损耗降至最低
• 提供标准和逻辑电平
• 通过 AEC-Q101 认证，符合 PPAP 要求
• 175°C 高工作结温
30V & 40V 车用P 沟道MOSFET产品
30V & 40V 车用N 沟道MOSFET产品30V & 40V 车用P 沟道MOSFET产品30V & 40V 车用N 沟道MOSFET产品关于强茂（PANJIT）
强茂股份有限公司(TWSE: 2481)在分离式组件领域拥有最完整IDM资源，业务涵盖晶圆设计、制造、封装测试到销售自有品牌产品。持续不断地投入创新与研发，结合生产自动化能力与制造技术优化，主要产品有IC、MOSFET、IGBT、SiC diode、FRED、整流桥、二极管、萧特基二极管、TVS、ESD和BJT，透过全球市场布局与营销战略，致力于绿能应用市场发展，电动车、风力发电、太阳能及储能系统等产业。系统认证有ISO 9001、IATF 16949、ISO 14000、ISO45001、IECQ QC080000 and ESD S20.20。落实环境友善管理、关怀员工与贡献社会，提升企业永续发展，实践2040年碳中和的环境永续目标。欲了解更多信息，请访问:
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